DF200R12W1H3B27BOMA1 | IR (Infineon Technologies) DF200R12W1H3B27BOMA1 | DF200R12W1H3B27BOMA1 Inventory, Best Pricing

DF200R12W1H3B27BOMA1

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Numéro d'article	DF200R12W1H3B27BOMA1
LIXINC Part #	DF200R12W1H3B27BOMA1
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - igbt - modules
Description	IGBT MOD 1200V 30A 375W
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	DF200R12W1H3B27BOMA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 07 - Oct 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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DF200R12W1H3B27BOMA1 Caractéristiques

Numéro d'article:	DF200R12W1H3B27BOMA1
Marque:	IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - igbt - modules
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
série:	-
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Active
type d'igbt:	-
configuration:	2 Independent
tension - claquage collecteur émetteur (max):	1200 V
courant - collecteur (ic) (max):	30 A
puissance - maximum:	375 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	1.3V @ 15V, 30A
courant - coupure collecteur (max):	1 mA
capacité d'entrée (cies) @ vce:	2 nF @ 25 V
saisir:	Standard
thermistance ntc:	Yes
température de fonctionnement:	-40°C ~ 150°C
Type de montage:	Chassis Mount
paquet / caisse:	Module
paquet de dispositif de fournisseur:	Module