APTGT100A120D1G | Microsemi APTGT100A120D1G | APTGT100A120D1G Inventory, Best Pricing

APTGT100A120D1G

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	APTGT100A120D1G
LIXINC Part #	APTGT100A120D1G
Fabricant	Microsemi
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - igbt - modules
Description	IGBT MODULE 1200V 150A 520W D1
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	APTGT100A120D1G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 07 - Oct 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

APTGT100A120D1G Caractéristiques

Numéro d'article:	APTGT100A120D1G
Marque:	Microsemi
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - igbt - modules
Fabricant:	Microsemi
série:	-
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Obsolete
type d'igbt:	Trench Field Stop
configuration:	Half Bridge
tension - claquage collecteur émetteur (max):	1200 V
courant - collecteur (ic) (max):	150 A
puissance - maximum:	520 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.1V @ 15V, 100A
courant - coupure collecteur (max):	3 mA
capacité d'entrée (cies) @ vce:	7 nF @ 25 V
saisir:	Standard
thermistance ntc:	No
température de fonctionnement:	-
Type de montage:	Chassis Mount
paquet / caisse:	D1
paquet de dispositif de fournisseur:	D1