VS-CPV362M4UPBF | Vishay General Semiconductor – Diodes Division VS-CPV362M4UPBF

VS-CPV362M4UPBF

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Numéro d'article	VS-CPV362M4UPBF
LIXINC Part #	VS-CPV362M4UPBF
Fabricant	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - igbt - modules
Description	IGBT MODULE 600V 7.2A 23W IMS-2
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	VS-CPV362M4UPBF Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 07 - Oct 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

VS-CPV362M4UPBF Caractéristiques

Numéro d'article:	VS-CPV362M4UPBF
Marque:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - igbt - modules
Fabricant:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
série:	-
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Obsolete
type d'igbt:	-
configuration:	-
tension - claquage collecteur émetteur (max):	600 V
courant - collecteur (ic) (max):	7.2 A
puissance - maximum:	23 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.2V @ 15V, 3.9A
courant - coupure collecteur (max):	250 µA
capacité d'entrée (cies) @ vce:	0.53 nF @ 30 V
saisir:	Standard
thermistance ntc:	No
température de fonctionnement:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet / caisse:	19-SIP (13 Leads), IMS-2
paquet de dispositif de fournisseur:	IMS-2