CPV363M4F | Vishay General Semiconductor – Diodes Division CPV363M4F

CPV363M4F

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Numéro d'article	CPV363M4F
LIXINC Part #	CPV363M4F
Fabricant	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - igbt - modules
Description	IGBT MODULE 600V 16A 36W IMS-2
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	CPV363M4F Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

CPV363M4F Caractéristiques

Numéro d'article:	CPV363M4F
Marque:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - igbt - modules
Fabricant:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
série:	-
emballer:	-
état de la pièce:	Obsolete
type d'igbt:	-
configuration:	Three Phase Inverter
tension - claquage collecteur émetteur (max):	600 V
courant - collecteur (ic) (max):	16 A
puissance - maximum:	36 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	1.63V @ 15V, 16A
courant - coupure collecteur (max):	250 µA
capacité d'entrée (cies) @ vce:	1.1 nF @ 30 V
saisir:	Standard
thermistance ntc:	No
température de fonctionnement:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet / caisse:	19-SIP (13 Leads), IMS-2
paquet de dispositif de fournisseur:	IMS-2