APTGF165A60D1G | Microsemi APTGF165A60D1G | APTGF165A60D1G Inventory, Best Pricing

APTGF165A60D1G

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Numéro d'article	APTGF165A60D1G
LIXINC Part #	APTGF165A60D1G
Fabricant	Microsemi
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - igbt - modules
Description	IGBT MODULE 600V 230A 781W D1
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	APTGF165A60D1G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

APTGF165A60D1G Caractéristiques

Numéro d'article:	APTGF165A60D1G
Marque:	Microsemi
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - igbt - modules
Fabricant:	Microsemi
série:	-
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Obsolete
type d'igbt:	NPT
configuration:	Half Bridge
tension - claquage collecteur émetteur (max):	600 V
courant - collecteur (ic) (max):	230 A
puissance - maximum:	781 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.45V @ 15V, 200A
courant - coupure collecteur (max):	250 µA
capacité d'entrée (cies) @ vce:	9 nF @ 25 V
saisir:	Standard
thermistance ntc:	No
température de fonctionnement:	-
Type de montage:	Chassis Mount
paquet / caisse:	D1
paquet de dispositif de fournisseur:	D1