NGTB50N60FLWG | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NGTB50N60FLWG

NGTB50N60FLWG

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Numéro d'article	NGTB50N60FLWG
LIXINC Part #	NGTB50N60FLWG
Fabricant	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - igbts - simples
Description	IGBT 600V 50A TO247
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	NGTB50N60FLWG Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 29 - Oct 03 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

NGTB50N60FLWG Caractéristiques

Numéro d'article:	NGTB50N60FLWG
Marque:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - igbts - simples
Fabricant:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:	-
emballer:	Tube
état de la pièce:	Obsolete
type d'igbt:	Trench Field Stop
tension - claquage collecteur émetteur (max):	600 V
courant - collecteur (ic) (max):	100 A
courant - collecteur pulsé (icm):	200 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	1.9V @ 15V, 50A
puissance - maximum:	223 W
énergie de commutation:	1.1mJ (on), 600µJ (off)
type d'entrée:	Standard
frais de porte:	310 nC
td (marche/arrêt) @ 25°c:	116ns/292ns
condition de test:	400V, 50A, 10Ohm, 15V
temps de récupération inverse (trr):	85 ns
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet / caisse:	TO-247-3
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-247