HGTD1N120BNS9A

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Numéro d'article HGTD1N120BNS9A
LIXINC Part # HGTD1N120BNS9A
Fabricant Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - igbts - simples
Description IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO HGTD1N120BNS9A Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 29 - Oct 03 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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HGTD1N120BNS9A Caractéristiques

Numéro d'article:HGTD1N120BNS9A
Marque:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - igbts - simples
Fabricant:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
type d'igbt:NPT
tension - claquage collecteur émetteur (max):1200 V
courant - collecteur (ic) (max):5.3 A
courant - collecteur pulsé (icm):6 A
vce(on) (max) @ vge, ic:2.9V @ 15V, 1A
puissance - maximum:60 W
énergie de commutation:70µJ (on), 90µJ (off)
type d'entrée:Standard
frais de porte:14 nC
td (marche/arrêt) @ 25°c:15ns/67ns
condition de test:960V, 1A, 82Ohm, 15V
temps de récupération inverse (trr):-
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
paquet de dispositif de fournisseur:TO-252AA

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