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STGB19NC60KDT4

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Numéro d'article	STGB19NC60KDT4
LIXINC Part #	STGB19NC60KDT4
Fabricant	STMicroelectronics
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - igbts - simples
Description	IGBT 600V 35A 125W D2PAK
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	STGB19NC60KDT4 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 29 - Oct 03 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

STGB19NC60KDT4 Caractéristiques

Numéro d'article:	STGB19NC60KDT4
Marque:	STMicroelectronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - igbts - simples
Fabricant:	STMicroelectronics
série:	PowerMESH™
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type d'igbt:	-
tension - claquage collecteur émetteur (max):	600 V
courant - collecteur (ic) (max):	35 A
courant - collecteur pulsé (icm):	75 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.75V @ 15V, 12A
puissance - maximum:	125 W
énergie de commutation:	165µJ (on), 255µJ (off)
type d'entrée:	Standard
frais de porte:	55 nC
td (marche/arrêt) @ 25°c:	30ns/105ns
condition de test:	480V, 12A, 10Ohm, 15V
temps de récupération inverse (trr):	31 ns
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
paquet de dispositif de fournisseur:	D2PAK