STGW80H65DFB

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Numéro d'article STGW80H65DFB
LIXINC Part # STGW80H65DFB
Fabricant STMicroelectronics
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - igbts - simples
Description IGBT 650V 120A 469W TO-247
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO STGW80H65DFB Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Jul 08 - Jul 12 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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STGW80H65DFB Caractéristiques

Numéro d'article:STGW80H65DFB
Marque:STMicroelectronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - igbts - simples
Fabricant:STMicroelectronics
série:-
emballer:Tube
état de la pièce:Active
type d'igbt:Trench Field Stop
tension - claquage collecteur émetteur (max):650 V
courant - collecteur (ic) (max):120 A
courant - collecteur pulsé (icm):240 A
vce(on) (max) @ vge, ic:2V @ 15V, 80A
puissance - maximum:469 W
énergie de commutation:2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
type d'entrée:Standard
frais de porte:414 nC
td (marche/arrêt) @ 25°c:84ns/280ns
condition de test:400V, 80A, 10Ohm, 15V
temps de récupération inverse (trr):85 ns
température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
paquet / caisse:TO-247-3
paquet de dispositif de fournisseur:TO-247

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