FGD3N60UNDF | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FGD3N60UNDF

FGD3N60UNDF

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Numéro d'article	FGD3N60UNDF
LIXINC Part #	FGD3N60UNDF
Fabricant	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - igbts - simples
Description	IGBT 600V 6A 60W DPAK
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	FGD3N60UNDF Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 11 - Sep 15 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

FGD3N60UNDF Caractéristiques

Numéro d'article:	FGD3N60UNDF
Marque:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - igbts - simples
Fabricant:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type d'igbt:	NPT
tension - claquage collecteur émetteur (max):	600 V
courant - collecteur (ic) (max):	6 A
courant - collecteur pulsé (icm):	9 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.52V @ 15V, 3A
puissance - maximum:	60 W
énergie de commutation:	52µJ (on), 30µJ (off)
type d'entrée:	Standard
frais de porte:	1.6 nC
td (marche/arrêt) @ 25°c:	5.5ns/22ns
condition de test:	400V, 3A, 10Ohm, 15V
temps de récupération inverse (trr):	21 ns
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-252, (D-Pak)