IGW75N65H5XKSA1

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Numéro d'article IGW75N65H5XKSA1
LIXINC Part # IGW75N65H5XKSA1
Fabricant IR (Infineon Technologies)
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - igbts - simples
Description IGBT TRENCH 650V 120A TO247-3
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO IGW75N65H5XKSA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 07 - Oct 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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IGW75N65H5XKSA1 Caractéristiques

Numéro d'article:IGW75N65H5XKSA1
Marque:IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - igbts - simples
Fabricant:IR (Infineon Technologies)
série:TrenchStop™
emballer:Tube
état de la pièce:Active
type d'igbt:Trench
tension - claquage collecteur émetteur (max):650 V
courant - collecteur (ic) (max):120 A
courant - collecteur pulsé (icm):300 A
vce(on) (max) @ vge, ic:2.1V @ 15V, 75A
puissance - maximum:395 W
énergie de commutation:2.25mJ (on), 950µJ (off)
type d'entrée:Standard
frais de porte:160 nC
td (marche/arrêt) @ 25°c:28ns/174ns
condition de test:400V, 75A, 8Ohm, 15V
temps de récupération inverse (trr):-
température de fonctionnement:-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
paquet / caisse:TO-247-3
paquet de dispositif de fournisseur:PG-TO247-3

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