FGA20N120FTDTU | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FGA20N120FTDTU

FGA20N120FTDTU

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Numéro d'article	FGA20N120FTDTU
LIXINC Part #	FGA20N120FTDTU
Fabricant	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - igbts - simples
Description	IGBT 1200V 40A 298W TO3PN
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	FGA20N120FTDTU Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 07 - Oct 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

FGA20N120FTDTU Caractéristiques

Numéro d'article:	FGA20N120FTDTU
Marque:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - igbts - simples
Fabricant:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:	-
emballer:	Tube
état de la pièce:	Last Time Buy
type d'igbt:	Trench Field Stop
tension - claquage collecteur émetteur (max):	1200 V
courant - collecteur (ic) (max):	40 A
courant - collecteur pulsé (icm):	60 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2V @ 15V, 20A
puissance - maximum:	298 W
énergie de commutation:	-
type d'entrée:	Standard
frais de porte:	137 nC
td (marche/arrêt) @ 25°c:	-
condition de test:	-
temps de récupération inverse (trr):	447 ns
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet / caisse:	TO-3P-3, SC-65-3
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-3P