IKQ50N120CH3XKSA1

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Numéro d'article IKQ50N120CH3XKSA1
LIXINC Part # IKQ50N120CH3XKSA1
Fabricant IR (Infineon Technologies)
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - igbts - simples
Description IGBT 1200V 100A TO247-3-46
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO IKQ50N120CH3XKSA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 07 - Oct 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
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IKQ50N120CH3XKSA1 Caractéristiques

Numéro d'article:IKQ50N120CH3XKSA1
Marque:IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - igbts - simples
Fabricant:IR (Infineon Technologies)
série:-
emballer:Tube
état de la pièce:Active
type d'igbt:-
tension - claquage collecteur émetteur (max):1200 V
courant - collecteur (ic) (max):100 A
courant - collecteur pulsé (icm):200 A
vce(on) (max) @ vge, ic:2.35V @ 15V, 50A
puissance - maximum:652 W
énergie de commutation:3mJ (on), 1.9mJ (off)
type d'entrée:Standard
frais de porte:235 nC
td (marche/arrêt) @ 25°c:34ns/297ns
condition de test:600V, 50A, 10Ohm, 15V
temps de récupération inverse (trr):-
température de fonctionnement:-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
paquet / caisse:TO-247-3
paquet de dispositif de fournisseur:PG-TO247-3-46

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