IRGP6630D-EPBF

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Numéro d'article IRGP6630D-EPBF
LIXINC Part # IRGP6630D-EPBF
Fabricant Rochester Electronics
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - igbts - simples
Description IGBT WITH RECOVERY DIODE
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO IRGP6630D-EPBF Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 08 - Oct 12 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
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IRGP6630D-EPBF Caractéristiques

Numéro d'article:IRGP6630D-EPBF
Marque:Rochester Electronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - igbts - simples
Fabricant:Rochester Electronics
série:-
emballer:Tube
état de la pièce:Obsolete
type d'igbt:-
tension - claquage collecteur émetteur (max):600 V
courant - collecteur (ic) (max):47 A
courant - collecteur pulsé (icm):54 A
vce(on) (max) @ vge, ic:1.95V @ 15V, 18A
puissance - maximum:192 W
énergie de commutation:75µJ (on), 350µJ (off)
type d'entrée:Standard
frais de porte:30 nC
td (marche/arrêt) @ 25°c:40ns/95ns
condition de test:400V, 18A, 22Ohm, 15V
temps de récupération inverse (trr):70 ns
température de fonctionnement:-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
paquet / caisse:TO-247-3
paquet de dispositif de fournisseur:TO-247AD

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