FGY75N60SMD

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Numéro d'article FGY75N60SMD
LIXINC Part # FGY75N60SMD
Fabricant Rochester Electronics
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - igbts - simples
Description INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO FGY75N60SMD Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 08 - Oct 12 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FGY75N60SMD Caractéristiques

Numéro d'article:FGY75N60SMD
Marque:Rochester Electronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - igbts - simples
Fabricant:Rochester Electronics
série:-
emballer:Bulk
état de la pièce:Active
type d'igbt:Field Stop
tension - claquage collecteur émetteur (max):600 V
courant - collecteur (ic) (max):150 A
courant - collecteur pulsé (icm):225 A
vce(on) (max) @ vge, ic:2.5V @ 15V, 75A
puissance - maximum:750 W
énergie de commutation:2.3mJ (on), 770µJ (off)
type d'entrée:Standard
frais de porte:248 nC
td (marche/arrêt) @ 25°c:24ns/136ns
condition de test:400V, 75A, 3Ohm, 15V
temps de récupération inverse (trr):55 ns
température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
paquet / caisse:TO-247-3 Variant
paquet de dispositif de fournisseur:PowerTO-247-3

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