IKW50N65EH5XKSA1 | IR (Infineon Technologies) IKW50N65EH5XKSA1 | IKW50N65EH5XKSA1 Inventory, Best Pricing

IKW50N65EH5XKSA1

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Numéro d'article	IKW50N65EH5XKSA1
LIXINC Part #	IKW50N65EH5XKSA1
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - igbts - simples
Description	IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	IKW50N65EH5XKSA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 08 - Oct 12 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

IKW50N65EH5XKSA1 Caractéristiques

Numéro d'article:	IKW50N65EH5XKSA1
Marque:	IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - igbts - simples
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
série:	TrenchStop™
emballer:	Tube
état de la pièce:	Active
type d'igbt:	Trench
tension - claquage collecteur émetteur (max):	650 V
courant - collecteur (ic) (max):	80 A
courant - collecteur pulsé (icm):	200 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.1V @ 15V, 50A
puissance - maximum:	275 W
énergie de commutation:	1.5mJ (on), 500µJ (off)
type d'entrée:	Standard
frais de porte:	120 nC
td (marche/arrêt) @ 25°c:	25ns/172ns
condition de test:	400V, 50A, 12Ohm, 15V
temps de récupération inverse (trr):	81 ns
température de fonctionnement:	-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet / caisse:	TO-247-3
paquet de dispositif de fournisseur:	PG-TO247-3