NGTG15N120FL2WG

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Numéro d'article NGTG15N120FL2WG
LIXINC Part # NGTG15N120FL2WG
Fabricant Rochester Electronics
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - igbts - simples
Description INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO NGTG15N120FL2WG Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
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NGTG15N120FL2WG Caractéristiques

Numéro d'article:NGTG15N120FL2WG
Marque:Rochester Electronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - igbts - simples
Fabricant:Rochester Electronics
série:-
emballer:Bulk
état de la pièce:Active
type d'igbt:Trench Field Stop
tension - claquage collecteur émetteur (max):1.2 V
courant - collecteur (ic) (max):30 A
courant - collecteur pulsé (icm):60 A
vce(on) (max) @ vge, ic:2.4V @ 15V, 15A
puissance - maximum:294 W
énergie de commutation:1.2mJ (on), 370µJ (off)
type d'entrée:Standard
frais de porte:109 nC
td (marche/arrêt) @ 25°c:64ns/128ns
condition de test:600V, 15A, 10Ohm, 15V
temps de récupération inverse (trr):-
température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
paquet / caisse:TO-247-3
paquet de dispositif de fournisseur:TO-247-3

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