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STGP4M65DF2

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Numéro d'article	STGP4M65DF2
LIXINC Part #	STGP4M65DF2
Fabricant	STMicroelectronics
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - igbts - simples
Description	IGBT M SERIES 650V 4A LOW LOSS
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	STGP4M65DF2 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 09 - Oct 13 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

STGP4M65DF2 Caractéristiques

Numéro d'article:	STGP4M65DF2
Marque:	STMicroelectronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - igbts - simples
Fabricant:	STMicroelectronics
série:	M
emballer:	Tube
état de la pièce:	Active
type d'igbt:	Trench Field Stop
tension - claquage collecteur émetteur (max):	650 V
courant - collecteur (ic) (max):	8 A
courant - collecteur pulsé (icm):	16 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.1V @ 15V, 4A
puissance - maximum:	68 W
énergie de commutation:	40µJ (on), 136µJ (off)
type d'entrée:	Standard
frais de porte:	15.2 nC
td (marche/arrêt) @ 25°c:	12ns/86ns
condition de test:	400V, 4A, 47Ohm, 15V
temps de récupération inverse (trr):	133 ns
température de fonctionnement:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet / caisse:	TO-220-3
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-220AB