FGH75T65SQDT-F155

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Numéro d'article FGH75T65SQDT-F155
LIXINC Part # FGH75T65SQDT-F155
Fabricant Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - igbts - simples
Description 650V 75A FS4 TRENCH IGBT
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO FGH75T65SQDT-F155 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 09 - Oct 13 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
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FGH75T65SQDT-F155 Caractéristiques

Numéro d'article:FGH75T65SQDT-F155
Marque:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - igbts - simples
Fabricant:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:-
emballer:Tube
état de la pièce:Active
type d'igbt:Trench Field Stop
tension - claquage collecteur émetteur (max):650 V
courant - collecteur (ic) (max):150 A
courant - collecteur pulsé (icm):300 A
vce(on) (max) @ vge, ic:2.1V @ 15V, 75A
puissance - maximum:375 W
énergie de commutation:300µJ (on), 70µJ (off)
type d'entrée:Standard
frais de porte:128 nC
td (marche/arrêt) @ 25°c:23ns/120ns
condition de test:400V, 18.8A, 4.7Ohm, 15V
temps de récupération inverse (trr):76 ns
température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
paquet / caisse:TO-247-3
paquet de dispositif de fournisseur:TO-247-3

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