FGP10N60UNDF

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Numéro d'article FGP10N60UNDF
LIXINC Part # FGP10N60UNDF
Fabricant Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - igbts - simples
Description IGBT NPT 600V 20A TO220-3
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO FGP10N60UNDF Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 10 - Oct 14 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FGP10N60UNDF Caractéristiques

Numéro d'article:FGP10N60UNDF
Marque:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - igbts - simples
Fabricant:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:-
emballer:Tube
état de la pièce:Active
type d'igbt:NPT
tension - claquage collecteur émetteur (max):600 V
courant - collecteur (ic) (max):20 A
courant - collecteur pulsé (icm):30 A
vce(on) (max) @ vge, ic:2.45V @ 15V, 10A
puissance - maximum:139 W
énergie de commutation:150µJ (on), 50µJ (off)
type d'entrée:Standard
frais de porte:37 nC
td (marche/arrêt) @ 25°c:8ns/52.2ns
condition de test:400V, 10A, 10Ohm, 15V
temps de récupération inverse (trr):37.7 ns
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
paquet / caisse:TO-220-3
paquet de dispositif de fournisseur:TO-220-3

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