APT33GF120B2RDQ2G

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Numéro d'article APT33GF120B2RDQ2G
LIXINC Part # APT33GF120B2RDQ2G
Fabricant Roving Networks / Microchip Technology
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - igbts - simples
Description IGBT 1200V 64A 357W TMAX
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO APT33GF120B2RDQ2G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 10 - Oct 14 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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APT33GF120B2RDQ2G Caractéristiques

Numéro d'article:APT33GF120B2RDQ2G
Marque:Roving Networks / Microchip Technology
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - igbts - simples
Fabricant:Roving Networks / Microchip Technology
série:-
emballer:Tube
état de la pièce:Active
type d'igbt:NPT
tension - claquage collecteur émetteur (max):1200 V
courant - collecteur (ic) (max):64 A
courant - collecteur pulsé (icm):75 A
vce(on) (max) @ vge, ic:3V @ 15V, 25A
puissance - maximum:357 W
énergie de commutation:1.315mJ (on), 1.515mJ (off)
type d'entrée:Standard
frais de porte:170 nC
td (marche/arrêt) @ 25°c:14ns/185ns
condition de test:800V, 25A, 4.3Ohm, 15V
temps de récupération inverse (trr):-
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
paquet / caisse:TO-247-3 Variant
paquet de dispositif de fournisseur:-

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