IGB50N65H5ATMA1

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Numéro d'article IGB50N65H5ATMA1
LIXINC Part # IGB50N65H5ATMA1
Fabricant IR (Infineon Technologies)
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - igbts - simples
Description IGBT PRODUCTS
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO IGB50N65H5ATMA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 10 - Oct 14 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
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IGB50N65H5ATMA1 Caractéristiques

Numéro d'article:IGB50N65H5ATMA1
Marque:IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - igbts - simples
Fabricant:IR (Infineon Technologies)
série:TrenchStop™ 5
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
type d'igbt:Trench Field Stop
tension - claquage collecteur émetteur (max):650 V
courant - collecteur (ic) (max):80 A
courant - collecteur pulsé (icm):150 A
vce(on) (max) @ vge, ic:2.1V @ 15V, 50A
puissance - maximum:270 W
énergie de commutation:1.59mJ (on), 750µJ (off)
type d'entrée:Standard
frais de porte:120 nC
td (marche/arrêt) @ 25°c:23ns/173ns
condition de test:400V, 50A, 12Ohm, 15V
temps de récupération inverse (trr):-
température de fonctionnement:-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
paquet de dispositif de fournisseur:PG-TO263-3

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