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NGTB50N65FL2WG

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Numéro d'article	NGTB50N65FL2WG
LIXINC Part #	NGTB50N65FL2WG
Fabricant	Rochester Electronics
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - igbts - simples
Description	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	NGTB50N65FL2WG Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 10 - Oct 14 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

NGTB50N65FL2WG Caractéristiques

Numéro d'article:	NGTB50N65FL2WG
Marque:	Rochester Electronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - igbts - simples
Fabricant:	Rochester Electronics
série:	-
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Active
type d'igbt:	Trench Field Stop
tension - claquage collecteur émetteur (max):	650 V
courant - collecteur (ic) (max):	100 A
courant - collecteur pulsé (icm):	200 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2V @ 15V, 50A
puissance - maximum:	417 W
énergie de commutation:	1.5mJ (on), 460µJ (off)
type d'entrée:	Standard
frais de porte:	220 nC
td (marche/arrêt) @ 25°c:	100ns/237ns
condition de test:	400V, 50A, 10Ohm, 15V
temps de récupération inverse (trr):	94 ns
température de fonctionnement:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet / caisse:	TO-247-3
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-247-3