2SK3666-2-TB-E

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Numéro d'article 2SK3666-2-TB-E
LIXINC Part # 2SK3666-2-TB-E
Fabricant Rochester Electronics
Catégorie semi-conducteur discrettransistors-jfets
Description N-CHANNEL JUNCTION SILICON FET F
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO 2SK3666-2-TB-E Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 20 - Oct 24 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

2SK3666-2-TB-E Caractéristiques

Numéro d'article:2SK3666-2-TB-E
Marque:Rochester Electronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors-jfets
Fabricant:Rochester Electronics
série:*
emballer:Bulk
état de la pièce:Active
type fet:-
tension - claquage (v(br)gss):-
tension drain-source (vdss):-
courant - drain (idss) @ vds (vgs=0):-
consommation de courant (id) - max:-
tension - coupure (vgs off) @ id:-
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:-
résistance - rds(on):-
puissance - maximum:-
température de fonctionnement:-
Type de montage:-
paquet / caisse:-
paquet de dispositif de fournisseur:-

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