J112-D27Z

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Numéro d'article J112-D27Z
LIXINC Part # J112-D27Z
Fabricant Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie semi-conducteur discrettransistors-jfets
Description JFET N-CH 35V 625MW TO92-3
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO J112-D27Z Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Jul 04 - Jul 08 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

J112-D27Z Caractéristiques

Numéro d'article:J112-D27Z
Marque:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors-jfets
Fabricant:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
tension - claquage (v(br)gss):35 V
tension drain-source (vdss):-
courant - drain (idss) @ vds (vgs=0):5 mA @ 15 V
consommation de courant (id) - max:-
tension - coupure (vgs off) @ id:1 V @ 1 µA
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:-
résistance - rds(on):50 Ohms
puissance - maximum:625 mW
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
paquet / caisse:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
paquet de dispositif de fournisseur:TO-92-3

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