J113_D27Z | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor J113_D27Z

J113_D27Z

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	J113_D27Z
LIXINC Part #	J113_D27Z
Fabricant	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors-jfets
Description	JFET N-CH 35V 625MW TO92
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	J113_D27Z Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

J113_D27Z Caractéristiques

Numéro d'article:	J113_D27Z
Marque:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors-jfets
Fabricant:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	N-Channel
tension - claquage (v(br)gss):	35 V
tension drain-source (vdss):	-
courant - drain (idss) @ vds (vgs=0):	2 mA @ 15 V
consommation de courant (id) - max:	-
tension - coupure (vgs off) @ id:	500 mV @ 1 µA
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	-
résistance - rds(on):	100 Ohms
puissance - maximum:	625 mW
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet / caisse:	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-92-3