NUS5530MNR2G

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Numéro d'article	NUS5530MNR2G
LIXINC Part #	NUS5530MNR2G
Fabricant	Rochester Electronics
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - usage spécial
Description	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	NUS5530MNR2G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

NUS5530MNR2G Caractéristiques

Numéro d'article:	NUS5530MNR2G
Marque:	Rochester Electronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - usage spécial
Fabricant:	Rochester Electronics
série:	-
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Active
à transistors:	NPN, P-Channel
applications:	General Purpose
tension - nominale:	35V PNP, 20V P-Channel
courant nominal (ampères):	2A PNP, 3.9A P-Channel
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	8-VDFN Exposed Pad
paquet de dispositif de fournisseur:	8-DFN-EP (3.3x3.3)

NUS5530MNR2G Documents

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