TL052IDR | Texas Instruments TL052IDR | TL052IDR Inventory, Best Pricing

TL052IDR

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	TL052IDR
LIXINC Part #	TL052IDR
Fabricant	Texas Instruments
Catégorie	circuits intégrés › linéaire - amplificateurs - instrumentation, amplis op, amplis tampons
Description	IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	TL052IDR Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

TL052IDR Caractéristiques

Numéro d'article:	TL052IDR
Marque:	Texas Instruments
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	linéaire - amplificateurs - instrumentation, amplis op, amplis tampons
Fabricant:	Texas Instruments
série:	LinCMOS™
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type d'amplificateur:	J-FET
nombre de circuits:	2
le type de sortie:	-
vitesse de balayage:	20.7V/µs
produit gain de bande passante:	3 MHz
-3db de bande passante:	-
courant - biais d'entrée:	30 pA
tension - décalage d'entrée:	650 µV
offre actuelle:	4.8mA (x2 Channels)
courant - sortie / voie:	80 mA
tension - alimentation, simple/double (±):	10V ~ 30V, ±5V ~ 15V
température de fonctionnement:	-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
paquet de dispositif de fournisseur:	8-SOIC