NE5517DR2G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NE5517DR2G

NE5517DR2G

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Numéro d'article	NE5517DR2G
LIXINC Part #	NE5517DR2G
Fabricant	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie	circuits intégrés › linéaire - amplificateurs - instrumentation, amplis op, amplis tampons
Description	IC OPAMP TRANSCOND 2 CIRC 16SOIC
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	NE5517DR2G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 21 - Oct 25 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

NE5517DR2G Caractéristiques

Numéro d'article:	NE5517DR2G
Marque:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	linéaire - amplificateurs - instrumentation, amplis op, amplis tampons
Fabricant:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type d'amplificateur:	Transconductance
nombre de circuits:	2
le type de sortie:	Push-Pull
vitesse de balayage:	50V/µs
produit gain de bande passante:	2 MHz
-3db de bande passante:	-
courant - biais d'entrée:	400 nA
tension - décalage d'entrée:	400 µV
offre actuelle:	2.6mA
courant - sortie / voie:	500 µA
tension - alimentation, simple/double (±):	4V ~ 44V, ±2V ~ 22V
température de fonctionnement:	0°C ~ 70°C
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
paquet de dispositif de fournisseur:	16-SOIC