NCS20082DR2G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NCS20082DR2G

NCS20082DR2G

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Numéro d'article	NCS20082DR2G
LIXINC Part #	NCS20082DR2G
Fabricant	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie	circuits intégrés › linéaire - amplificateurs - instrumentation, amplis op, amplis tampons
Description	IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	NCS20082DR2G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 19 - Oct 23 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

NCS20082DR2G Caractéristiques

Numéro d'article:	NCS20082DR2G
Marque:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	linéaire - amplificateurs - instrumentation, amplis op, amplis tampons
Fabricant:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type d'amplificateur:	General Purpose
nombre de circuits:	2
le type de sortie:	Rail-to-Rail
vitesse de balayage:	0.4V/µs
produit gain de bande passante:	1.2 MHz
-3db de bande passante:	-
courant - biais d'entrée:	1 pA
tension - décalage d'entrée:	500 µV
offre actuelle:	48µA (x2 Channels)
courant - sortie / voie:	15 mA
tension - alimentation, simple/double (±):	1.8V ~ 5.5V
température de fonctionnement:	-40°C ~ 125°C (TA)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
paquet de dispositif de fournisseur:	8-SOIC