NE5230DR2 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NE5230DR2

NE5230DR2

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Numéro d'article	NE5230DR2
LIXINC Part #	NE5230DR2
Fabricant	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie	circuits intégrés › linéaire - amplificateurs - instrumentation, amplis op, amplis tampons
Description	IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8SOIC
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	NE5230DR2 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 07 - Oct 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

NE5230DR2 Caractéristiques

Numéro d'article:	NE5230DR2
Marque:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	linéaire - amplificateurs - instrumentation, amplis op, amplis tampons
Fabricant:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Obsolete
type d'amplificateur:	General Purpose
nombre de circuits:	1
le type de sortie:	Rail-to-Rail
vitesse de balayage:	0.25V/µs
produit gain de bande passante:	600 kHz
-3db de bande passante:	-
courant - biais d'entrée:	40 nA
tension - décalage d'entrée:	400 µV
offre actuelle:	1.1mA
courant - sortie / voie:	32 mA
tension - alimentation, simple/double (±):	1.8V ~ 15V, ±0.9V ~ 7.5V
température de fonctionnement:	0°C ~ 70°C
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
paquet de dispositif de fournisseur:	8-SOIC