MT54V512H18EF-6

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Numéro d'article	MT54V512H18EF-6
LIXINC Part #	MT54V512H18EF-6
Fabricant	Rochester Electronics
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	QDR SRAM, 512KX18, 2.5NS PBGA165
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	MT54V512H18EF-6 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Jul 08 - Jul 12 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

MT54V512H18EF-6 Caractéristiques

Numéro d'article:	MT54V512H18EF-6
Marque:	Rochester Electronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	Rochester Electronics
série:	*
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Active
type de mémoire:	-
formatage de la mémoire:	-
technologie:	-
taille mémoire:	-
interface mémoire:	-
fréquence d'horloge:	-
temps de cycle d'écriture - mot, page:	-
temps d'accès:	-
tension - alimentation:	-
température de fonctionnement:	-
Type de montage:	-
paquet / caisse:	-
paquet de dispositif de fournisseur:	-

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