CYATB108LD-ZS45XI | Rochester Electronics CYATB108LD-ZS45XI | CYATB108LD-ZS45XI Inventory, Best Pricing

CYATB108LD-ZS45XI

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Numéro d'article	CYATB108LD-ZS45XI
LIXINC Part #	CYATB108LD-ZS45XI
Fabricant	Rochester Electronics
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC NVSRAM 8MBIT PAR 44TSOP II
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	CYATB108LD-ZS45XI Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Jul 05 - Jul 09 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

CYATB108LD-ZS45XI Caractéristiques

Numéro d'article:	CYATB108LD-ZS45XI
Marque:	Rochester Electronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	Rochester Electronics
série:	-
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Obsolete
type de mémoire:	Non-Volatile
formatage de la mémoire:	NVSRAM
technologie:	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
taille mémoire:	8Mb (1M x 8)
interface mémoire:	Parallel
fréquence d'horloge:	-
temps de cycle d'écriture - mot, page:	45ns
temps d'accès:	45 ns
tension - alimentation:	2.7V ~ 3.6V
température de fonctionnement:	-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
paquet de dispositif de fournisseur:	44-TSOP II