AS6C2008-55BINTR

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Numéro d'article AS6C2008-55BINTR
LIXINC Part # AS6C2008-55BINTR
Fabricant Alliance Memory, Inc.
Catégorie circuits intégrésmémoire
Description IC SRAM 2MBIT PARALLEL 36TFBGA
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO AS6C2008-55BINTR Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Jul 08 - Jul 12 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

AS6C2008-55BINTR Caractéristiques

Numéro d'article:AS6C2008-55BINTR
Marque:Alliance Memory, Inc.
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Alliance Memory, Inc.
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)
état de la pièce:Active
type de mémoire:Volatile
formatage de la mémoire:SRAM
technologie:SRAM - Asynchronous
taille mémoire:2Mb (256K x 8)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:-
temps de cycle d'écriture - mot, page:55ns
temps d'accès:55 ns
tension - alimentation:2.7V ~ 3.6V
température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:36-TFBGA
paquet de dispositif de fournisseur:36-TFBGA (6x8)

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