71V65602S133BQ | Rochester Electronics 71V65602S133BQ | 71V65602S133BQ Inventory, Best Pricing

71V65602S133BQ

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Numéro d'article	71V65602S133BQ
LIXINC Part #	71V65602S133BQ
Fabricant	Rochester Electronics
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	71V65602S133BQ Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

71V65602S133BQ Caractéristiques

Numéro d'article:	71V65602S133BQ
Marque:	Rochester Electronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	Rochester Electronics
série:	-
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Active
type de mémoire:	Volatile
formatage de la mémoire:	SRAM
technologie:	SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
taille mémoire:	9Mb (256K x 36)
interface mémoire:	Parallel
fréquence d'horloge:	133 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:	-
temps d'accès:	4.2 ns
tension - alimentation:	3.135V ~ 3.465V
température de fonctionnement:	0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	119-BGA
paquet de dispositif de fournisseur:	119-PBGA (14x22)