CY7S1041GE30-10BVXI

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Numéro d'article	CY7S1041GE30-10BVXI
LIXINC Part #	CY7S1041GE30-10BVXI
Fabricant	Cypress Semiconductor
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	NO WARRANTY
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	CY7S1041GE30-10BVXI Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Jul 05 - Jul 09 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition

CY7S1041GE30-10BVXI Caractéristiques

Numéro d'article:	CY7S1041GE30-10BVXI
Marque:	Cypress Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	Cypress Semiconductor
série:	-
emballer:	Tray
état de la pièce:	Active
type de mémoire:	Volatile
formatage de la mémoire:	SRAM
technologie:	SRAM - Asynchronous
taille mémoire:	4Mb (256K x 16)
interface mémoire:	Parallel
fréquence d'horloge:	-
temps de cycle d'écriture - mot, page:	10ns
temps d'accès:	10 ns
tension - alimentation:	2.2V ~ 3.6V
température de fonctionnement:	-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	48-VFBGA
paquet de dispositif de fournisseur:	48-VFBGA (6x8)

CY7S1041GE30-10BVXI Documents

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