IS43LD16640C-18BLI

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Numéro d'article IS43LD16640C-18BLI
LIXINC Part # IS43LD16640C-18BLI
Fabricant ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Catégorie circuits intégrésmémoire
Description IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO IS43LD16640C-18BLI Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 17 - Oct 21 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IS43LD16640C-18BLI Caractéristiques

Numéro d'article:IS43LD16640C-18BLI
Marque:ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
série:-
emballer:Tray
état de la pièce:Active
type de mémoire:Volatile
formatage de la mémoire:DRAM
technologie:SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
taille mémoire:1Gb (64M x 16)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:533 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:15ns
temps d'accès:-
tension - alimentation:1.14V ~ 1.95V
température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:134-TFBGA
paquet de dispositif de fournisseur:134-TFBGA (10x11.5)

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