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R1LV0108ESF-5SI#B1

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Numéro d'article R1LV0108ESF-5SI#B1
LIXINC Part # R1LV0108ESF-5SI#B1
Fabricant Renesas Electronics America
Catégorie circuits intégrés › mémoire
Description IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO R1LV0108ESF-5SI#B1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 19 - Oct 23 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

R1LV0108ESF-5SI#B1 Caractéristiques

Numéro d'article:R1LV0108ESF-5SI#B1
Marque:Renesas Electronics America
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Renesas Electronics America
série:-
emballer:Tube
état de la pièce:Active
type de mémoire:Volatile
formatage de la mémoire:SRAM
technologie:SRAM
taille mémoire:1Mb (128K x 8)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:-
temps de cycle d'écriture - mot, page:55ns
temps d'accès:55 ns
tension - alimentation:2.7V ~ 3.6V
température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
paquet de dispositif de fournisseur:32-TSOP (8x20)

R1LV0108ESF-5SI#B1 Documents

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