S29GL512S12DHBV10 | Cypress Semiconductor S29GL512S12DHBV10 | S29GL512S12DHBV10 Inventory, Best Pricing

S29GL512S12DHBV10

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Numéro d'article	S29GL512S12DHBV10
LIXINC Part #	S29GL512S12DHBV10
Fabricant	Cypress Semiconductor
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	S29GL512S12DHBV10 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 19 - Oct 23 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

S29GL512S12DHBV10 Caractéristiques

Numéro d'article:	S29GL512S12DHBV10
Marque:	Cypress Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	Cypress Semiconductor
série:	GL-S
emballer:	Tray
état de la pièce:	Active
type de mémoire:	Non-Volatile
formatage de la mémoire:	FLASH
technologie:	FLASH - NOR
taille mémoire:	512Mb (32M x 16)
interface mémoire:	Parallel
fréquence d'horloge:	-
temps de cycle d'écriture - mot, page:	60ns
temps d'accès:	120 ns
tension - alimentation:	1.65V ~ 3.6V
température de fonctionnement:	-40°C ~ 105°C (TA)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	64-LBGA
paquet de dispositif de fournisseur:	64-FBGA (9x9)