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GS8160Z18DGT-250I

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Numéro d'article GS8160Z18DGT-250I
LIXINC Part # GS8160Z18DGT-250I
Fabricant GSI Technology
Catégorie circuits intégrés › mémoire
Description IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO GS8160Z18DGT-250I Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 21 - Oct 25 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

GS8160Z18DGT-250I Caractéristiques

Numéro d'article:GS8160Z18DGT-250I
Marque:GSI Technology
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:GSI Technology
série:-
emballer:Tray
état de la pièce:Active
type de mémoire:Volatile
formatage de la mémoire:SRAM
technologie:SRAM - Synchronous, ZBT
taille mémoire:18Mb (1M x 18)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:250 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:-
temps d'accès:-
tension - alimentation:2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V
température de fonctionnement:-40°C ~ 100°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:100-LQFP
paquet de dispositif de fournisseur:100-TQFP (20x14)

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