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CY14B104N-ZS25XI

CY14B104N-ZS25XI
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Numéro d'article CY14B104N-ZS25XI
LIXINC Part # CY14B104N-ZS25XI
Fabricant Rochester Electronics
Catégorie circuits intégrés › mémoire
Description IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO CY14B104N-ZS25XI Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 21 - Oct 25 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

CY14B104N-ZS25XI Caractéristiques

Numéro d'article:CY14B104N-ZS25XI
Marque:Rochester Electronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Rochester Electronics
série:-
emballer:Tube
état de la pièce:Obsolete
type de mémoire:Non-Volatile
formatage de la mémoire:NVSRAM
technologie:NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
taille mémoire:4Mb (256K x 16)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:-
temps de cycle d'écriture - mot, page:25ns
temps d'accès:25 ns
tension - alimentation:2.7V ~ 3.6V
température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
paquet de dispositif de fournisseur:44-TSOP II

CY14B104N-ZS25XI Documents

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