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DS1230Y-200IND

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Numéro d'article	DS1230Y-200IND
LIXINC Part #	DS1230Y-200IND
Fabricant	Rochester Electronics
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	DS1230Y-200IND Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 21 - Oct 25 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

DS1230Y-200IND Caractéristiques

Numéro d'article:	DS1230Y-200IND
Marque:	Rochester Electronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	Rochester Electronics
série:	-
emballer:	Tube
état de la pièce:	Obsolete
type de mémoire:	Non-Volatile
formatage de la mémoire:	NVSRAM
technologie:	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
taille mémoire:	256Kb (32K x 8)
interface mémoire:	Parallel
fréquence d'horloge:	-
temps de cycle d'écriture - mot, page:	200ns
temps d'accès:	200 ns
tension - alimentation:	4.5V ~ 5.5V
température de fonctionnement:	-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:	Through Hole
paquet / caisse:	28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
paquet de dispositif de fournisseur:	28-EDIP