BR35H128FJ-WCE2 | ROHM Semiconductor BR35H128FJ-WCE2 | BR35H128FJ-WCE2 Inventory, Best Pricing

BR35H128FJ-WCE2

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Numéro d'article	BR35H128FJ-WCE2
LIXINC Part #	BR35H128FJ-WCE2
Fabricant	ROHM Semiconductor
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC EEPROM 128K SPI 5MHZ 8SOPJ
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	BR35H128FJ-WCE2 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 25 - Oct 29 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

BR35H128FJ-WCE2 Caractéristiques

Numéro d'article:	BR35H128FJ-WCE2
Marque:	ROHM Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	ROHM Semiconductor
série:	Automotive, AEC-Q100
emballer:	Tape & Reel (TR)Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Active
type de mémoire:	Non-Volatile
formatage de la mémoire:	EEPROM
technologie:	EEPROM
taille mémoire:	128Kb (16K x 8)
interface mémoire:	SPI
fréquence d'horloge:	5 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:	5ms
temps d'accès:	-
tension - alimentation:	2.5V ~ 5.5V
température de fonctionnement:	-40°C ~ 125°C (TA)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
paquet de dispositif de fournisseur:	8-SOP-J