W632GU8NB11I | Winbond Electronics Corporation W632GU8NB11I

W632GU8NB11I

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Numéro d'article	W632GU8NB11I
LIXINC Part #	W632GU8NB11I
Fabricant	Winbond Electronics Corporation
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78VFBGA
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	W632GU8NB11I Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

W632GU8NB11I Caractéristiques

Numéro d'article:	W632GU8NB11I
Marque:	Winbond Electronics Corporation
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	Winbond Electronics Corporation
série:	-
emballer:	Tray
état de la pièce:	Active
type de mémoire:	Volatile
formatage de la mémoire:	DRAM
technologie:	SDRAM - DDR3L
taille mémoire:	2Gb (256M x 8)
interface mémoire:	Parallel
fréquence d'horloge:	933 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:	15ns
temps d'accès:	20 ns
tension - alimentation:	1.283V ~ 1.45V
température de fonctionnement:	-40°C ~ 95°C (TC)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	78-VFBGA
paquet de dispositif de fournisseur:	78-VFBGA (8x10.5)