THGAMRG9T23BAIL

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Numéro d'article THGAMRG9T23BAIL
LIXINC Part # THGAMRG9T23BAIL
Fabricant Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Catégorie circuits intégrésmémoire
Description IC FLASH 512GBIT EMMC 153FBGA
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO THGAMRG9T23BAIL Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 28 - Nov 01 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

THGAMRG9T23BAIL Caractéristiques

Numéro d'article:THGAMRG9T23BAIL
Marque:Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
série:e•MMC™
emballer:Tray
état de la pièce:Active
type de mémoire:Non-Volatile
formatage de la mémoire:FLASH
technologie:FLASH - NAND
taille mémoire:512Gb (64G x 8)
interface mémoire:eMMC
fréquence d'horloge:-
temps de cycle d'écriture - mot, page:-
temps d'accès:-
tension - alimentation:-
température de fonctionnement:-25°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:153-WFBGA
paquet de dispositif de fournisseur:153-FBGA (11.5x13)

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