MT58V1MV18DT-7.5 | Rochester Electronics MT58V1MV18DT-7.5 | MT58V1MV18DT-7.5 Inventory, Best Pricing

MT58V1MV18DT-7.5

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Numéro d'article	MT58V1MV18DT-7.5
LIXINC Part #	MT58V1MV18DT-7.5
Fabricant	Rochester Electronics
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	MT58V1MV18DT-7.5 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 29 - Nov 02 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

MT58V1MV18DT-7.5 Caractéristiques

Numéro d'article:	MT58V1MV18DT-7.5
Marque:	Rochester Electronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	Rochester Electronics
série:	SYNCBURST™
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Active
type de mémoire:	Volatile
formatage de la mémoire:	SRAM
technologie:	SRAM
taille mémoire:	18Mb (1M x 18)
interface mémoire:	Parallel
fréquence d'horloge:	133 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:	-
temps d'accès:	4.2 ns
tension - alimentation:	3.135V ~ 3.465V
température de fonctionnement:	0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	100-LQFP
paquet de dispositif de fournisseur:	100-TQFP (14x20.1)