THGAF8T1T83BAIR

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Numéro d'article THGAF8T1T83BAIR
LIXINC Part # THGAF8T1T83BAIR
Fabricant Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Catégorie circuits intégrésmémoire
Description IC FLASH 256GBIT UFS 153VFBGA
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO THGAF8T1T83BAIR Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 29 - Nov 02 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

THGAF8T1T83BAIR Caractéristiques

Numéro d'article:THGAF8T1T83BAIR
Marque:Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
série:Consumer UFS
emballer:Tray
état de la pièce:Active
type de mémoire:Non-Volatile
formatage de la mémoire:FLASH
technologie:FLASH - NAND
taille mémoire:256Gb (32G x 8)
interface mémoire:UFS
fréquence d'horloge:-
temps de cycle d'écriture - mot, page:-
temps d'accès:-
tension - alimentation:2.7V ~ 3.6V
température de fonctionnement:-25°C ~ 85°C (TC)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:153-VFBGA
paquet de dispositif de fournisseur:153-VFBGA (11.5x13)

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