CY7C1383BV25-100BGC

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Numéro d'article CY7C1383BV25-100BGC
LIXINC Part # CY7C1383BV25-100BGC
Fabricant Rochester Electronics
Catégorie circuits intégrésmémoire
Description STANDARD SRAM, 1MX18, 8.5NS
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO CY7C1383BV25-100BGC Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 31 - Nov 04 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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CY7C1383BV25-100BGC Caractéristiques

Numéro d'article:CY7C1383BV25-100BGC
Marque:Rochester Electronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Rochester Electronics
série:-
emballer:Bulk
état de la pièce:Active
type de mémoire:Volatile
formatage de la mémoire:SRAM
technologie:SRAM - Synchronous, SDR
taille mémoire:18Mb (1M x 18)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:100 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:-
temps d'accès:8.5 ns
tension - alimentation:2.375V ~ 2.625V
température de fonctionnement:0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:119-BGA
paquet de dispositif de fournisseur:119-PBGA (14x22)

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