RM25C512C-LSNI-B

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Numéro d'article RM25C512C-LSNI-B
LIXINC Part # RM25C512C-LSNI-B
Fabricant Adesto Technologies
Catégorie circuits intégrésmémoire
Description IC CBRAM 512KBIT SPI 20MHZ 8SOIC
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO RM25C512C-LSNI-B Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Nov 01 - Nov 05 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
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RM25C512C-LSNI-B Caractéristiques

Numéro d'article:RM25C512C-LSNI-B
Marque:Adesto Technologies
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Adesto Technologies
série:Mavriq™
emballer:Tube
état de la pièce:Obsolete
type de mémoire:Non-Volatile
formatage de la mémoire:CBRAM®
technologie:CBRAM
taille mémoire:512kb (128B Page Size)
interface mémoire:SPI
fréquence d'horloge:20 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:100µs, 5ms
temps d'accès:-
tension - alimentation:1.65V ~ 3.6V
température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
paquet de dispositif de fournisseur:8-SOIC

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