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IS43DR16320E-3DBL

IS43DR16320E-3DBL
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Numéro d'article IS43DR16320E-3DBL
LIXINC Part # IS43DR16320E-3DBL
Fabricant ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Catégorie circuits intégrés › mémoire
Description IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84TWBGA
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO IS43DR16320E-3DBL Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 07 - Oct 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IS43DR16320E-3DBL Caractéristiques

Numéro d'article:IS43DR16320E-3DBL
Marque:ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
série:-
emballer:Tray
état de la pièce:Active
type de mémoire:Volatile
formatage de la mémoire:DRAM
technologie:SDRAM - DDR2
taille mémoire:512Mb (32M x 16)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:333 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:15ns
temps d'accès:450 ns
tension - alimentation:1.7V ~ 1.9V
température de fonctionnement:0°C ~ 85°C (TC)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:84-TFBGA
paquet de dispositif de fournisseur:84-TWBGA (8x12.5)

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